HMDS烘箱在Micro-LED芯片的應用

    Micro-LED具有*的性能，應用于微型顯示器、可見光通信、光學生物芯片、可穿戴設備和生物傳感器等領域。目前，Micro-LED顯示的技術(shù)挑戰(zhàn)是如何獲得高分辨率和高像素密度。像素尺寸縮小、芯片的周長面積比增大，導致側(cè)壁的表面復合增多，非輻射復合速率變大，從而致使光電效率下降。器件制備過程中的ICP刻蝕，加重了側(cè)壁缺陷。另外，對于磷化Micro-LED，在較高的驅(qū)動電流下，熱刺激LED的多量子阱有源區(qū)和電子阻擋層中的注入電子泄漏到LED結(jié)構(gòu)的P側(cè)，導致效率下降，即efficiency droop現(xiàn)象。因此，LED的散熱性能對于磷化LED頗為重要。
    Micro LED應用將從平板顯示擴展到AR/VR/MR、空間顯示、柔性透明顯示、可穿戴/可植入光電器件、光通信/光互聯(lián)、醫(yī)療探測、智能車燈等諸多領域。預計到2025年，基于Micro-LED技術(shù)的產(chǎn)品如 電視機、手機、手表等將逐步上市，市場產(chǎn)值將超過28億美元。到2035年，我國將實現(xiàn)基于Micro-LED的超大規(guī)模集成發(fā)光單元的顯示模塊，并實現(xiàn)Micro-LED在照明、空間三維顯示、空間定位及信息通信高度集成系統(tǒng)。   

    中國科學院長春光學精密機械與物理研究所應用光學國家重點實驗室梁靜秋研究團隊使用晶圓鍵合和襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)，制備五種像素尺寸（最小尺寸為10μm）的硅襯底AlGaInP紅光Micro-LED以探究其尺寸效應。研究采用低損傷刻蝕技術(shù)減小LED芯片側(cè)壁缺陷；采用散熱性能更好的硅襯底代替GaAs襯底，改善LED芯片的散熱性，且避免GaAs襯底對紅光的吸收。實驗結(jié)果表明，隨著尺寸的減小，Micro-LED芯片的外量子效率下降，但可承受的最大電流密度增加，高注入電流下散熱性改善，且中心波長隨注入電流的偏移減小。

在該文中所述的襯底疏水處理時HMDS烘箱預處理系統(tǒng)是優(yōu)選的處理設備

智能型HMDS真空系統(tǒng)的用途：

   在半導體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS氣相沉積至半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料表面后，經(jīng)系統(tǒng)加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷涫杷珊芎玫嘏c光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。