ITO無氧化烤箱，防氧化退火爐薄膜電導率隨退火溫度的上升呈先上升后下降的變化。上升階段，載流子濃度和遷移率共同影響電導率；下降階段，遷移率的降低對電導率的減小起到主要作用。

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更新時間：2025-09-16
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ITO無氧化烤箱，防氧化退火爐簡介：

ITO薄膜是一種n型半導體材料，具有高的導電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和良好的化學穩定性。ITO制備工藝中退火是非常重要的工藝步驟，對烤箱的溫度、含氧量都有明確的要求。

ITO無氧化烤箱，防氧化退火爐的必要性：

1、在ITO中，Sn是以替位參雜的方式，取代In出現在In2O3晶格中，形成氧化銦錫置換固溶體隨著退火溫度的升高，峰強增強，ITO晶粒擇優生長，晶粒尺寸隨溫度的上升而變大。

2、隨著退火溫度的升高，ITO薄膜的微觀結構得到改善，表面形貌均一穩定，但當退火溫度超過某一界*，ITO顆粒大小不一，形狀各異，小顆粒團聚現象嚴重，薄膜的表面形貌遭到破壞。

3、薄膜電導率隨退火溫度的上升呈先上升后下降的變化。上升階段，載流子濃度和遷移率共同影響電導率；下降階段，遷移率的降低對電導率的減小起到主要作用。

ITO無氧化烤箱技術指標：

內腔尺寸：W600mm×D600mm×H600mm（可定做）

材質：SUS304不銹鋼
溫度范圍：RT+10-450℃，使用溫度≤400℃
溫度分辨率：0.1℃
溫度波動度：＜±0.5℃
溫度均勻度：≤±1.5%
潔凈度：class 100，設備采用無塵材料，適用100級光刻間凈化環境
電源及總功率：AC 380V±10% / 50HZ 總功率約21.0KW
升溫速度：8℃/min，（空箱測試）可自定義
降溫速度：約3℃/min（空箱測試）可自定義
氧含量分析儀：≤ 100ppm

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